Toshiba Luncurkan MOSFET N-Channel Power 40V Otomotif dengan Paket Baru


Toshiba: MOSFET daya N-channel 40V otomotif dengan paket baru yang berkontribusi terhadap pembuangan panas yang tinggi dan pengurangan ukuran peralatan otomotif. (Grafis: Business Wire) (ANTARA/Business Wire)

Kawasaki, Jepang--(ANTARA/Business Wire)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba") meluncurkan dua MOSFET N-channel Power 40V otomotif, “XPJR6604PB” dan “XPJ1R004PB,” yang menggunakan paket S-TOGL™ (Small Transistor Outline Gull-wing Leads) baru dari Toshiba dengan chip proses U-MOS IX-H. Pengiriman volume mulai hari ini.

Aplikasi kritis untuk keselamatan seperti sistem mengemudi otonom memastikan keandalan berkat desain redundan, sehingga mengintegrasikan lebih banyak perangkat dan perlu lebih banyak ruang pemasangan dibanding sistem standar. Karena itu, meningkatkan pengurangan ukuran pada peralatan otomotif memerlukan MOSFET daya yang dapat dipasang pada kepadatan arus tinggi.

XPJR6604PB dan XPJ1R004PB menggunakan paket S-TOGL™ baru dari Toshiba (7,0 mm × 8,44 mm[1]) yang memiliki struktur post-less dan menyatukan komponen penghubung sumber dan outer lead. Struktur multi-pin untuk source lead mengurangi resistansi paket.

Kombinasi paket S-TOGL™ dan proses U-MOS IX-H Toshiba mencapai pengurangan On-resistance yang signifikan sebesar 11% dibandingkan produk paket TO-220SM (W) Toshiba[2], yang memiliki karakteristik ketahanan panas yang sama. Paket baru ini juga mengurangi area pemasangan yang diperlukan hingga sekitar 55% dibandingkan paket TO-220SM(W). Selain itu, tingkat arus drain 200A pada paket baru ini lebih tinggi dibanding paket DPAK+ Toshiba yang berukuran sama (6,5 mm × 9,5 mm[1]), sehingga memungkinkan aliran arus tinggi. Secara keseluruhan, paket S-TOGL™ mewujudkan kepadatan tinggi dan tata letak yang ringkas, sehingga mengurangi ukuran peralatan otomotif dan berkontribusi pada pembuangan panas yang tinggi.

Karena peralatan otomotif digunakan di lingkungan bersuhu ekstrim, keandalan sambungan solder pemasangan permukaan menjadi pertimbangan sangat penting. Paket S-TOGL™ menggunakan gull-wing lead yang mengurangi tegangan pemasangan, sehingga meningkatkan keandalan sambungan solder.

Dengan asumsi bahwa beberapa perangkat akan dihubungkan secara paralel untuk aplikasi yang memerlukan pengoperasian arus lebih tinggi, Toshiba mendukung pengiriman pengelompokan[3] untuk produk baru, di mana tegangan ambang gate digunakan untuk pengelompokan. Sehingga desain dapat menggunakan kelompok produk dengan variasi karakteristik yang kecil.

Toshiba akan terus memperluas jajaran produk semikonduktor daya dan berkontribusi pada realisasi netralitas karbon dengan perangkat daya berkinerja tinggi yang lebih ramah pengguna.

Penggunaan

 • Peralatan otomotif: inverter, relai semikonduktor, sakelar beban, penggerak motor, dan lain-lain.

Fitur

 • Paket S-TOGL™ baru: 7,0 mm × 8,44 mm (typ.)

 • Tingkat arus drain yang besar:

XPJR6604PB: ID=200A

XPJ1R004PB: ID=160A

 • Memenuhi syarat AEC-Q101

 • IATF 16949/PPAP tersedia [4]

 • On-resistance Rendah:

XPJR6604PB: RDS(ON)=0,53 mΩ (typ.) (VGS=10V)

XPJ1R004PB: RDS(ON)=0,8 mΩ (typ.) (VGS=10V)

Catatan:

[1] Ukuran paket tipikal, termasuk lead.

[2] TKR74F04PB ditempatkan dalam paket TO-220SM (W).

[3] Toshiba dapat menawarkan pengiriman pengelompokan, di mana rentang tegangan ambang gate adalah 0,4V untuk setiap reel. Tapi tidak dapat menentukan kelompok tertentu. Harap hubungi perwakilan penjualan Toshiba untuk informasi lebih lanjut.

[4] Harap hubungi perwakilan penjualan Toshiba untuk rincian lebih lanjut.

Spesifikasi Utama

 

Produk Baru

Current Products

Nomor komponen

XPJR6604PB

XPJ1R004PB

TKR74F04PB

TK1R4S04PB

Polaritas

N-channel

Seri

U-MOS IX-H

Paket

Nama

S-TOGL™

TO-220SM(W)

DPAK+

Ukuran (mm)

typ.

7,0×8,44, t=2,3

10.0×13.0, t=3.5

6.5×9.5, t=2.3

Peringkat Maksimum Absolut

Tegangan Drain-source VDSS (V)

40

Arus Drain (DC) ID (A)

200

160

250

120

Arus Drain (pulsed) IDP (A)

600

480

750

240

Suhu saluran Tch (°C)

175

Karakteristik listrik

Drain-source On-resistance

RDS(ON) (mΩ)

VGS=10V

maks

0,66

1,0

0,74

1,35

Impedansi termal Channel-to-case

Zth(ch-c) (°C/W)

Tc=25°C

maks

0,4

0,67

0,4

0,83

Ikuti tautan berikut untuk informasi lebih lanjut tentang MOSFET Otomotif Toshiba.

Automotive MOSFETs

* S-TOGL™ adalah merek dagang milik Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation.

* Nama perusahaan, nama produk, dan nama layanan lain mungkin adalah merek dagang milik masing-masing perusahaan.

* Informasi dalam dokumen ini, termasuk harga dan spesifikasi produk, konten layanan dan informasi kontak, adalah yang terbaru pada tanggal pengumuman namun dapat berubah tanpa pemberitahuan sebelumnya.

Tentang Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation adalah penyedia terkemuka di bidang solusi semikonduktor dan solusi penyimpanan yang canggih. Dengan pengalaman dan inovasi selama lebih dari setengah abad, kini menawarkan semikonduktor diskrit, produk LSI sistem dan produk HDD yang luar biasa kepada pelanggan dan mitra bisnis.

21.500 karyawan Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation di seluruh dunia memiliki tekad yang sama, yaitu memaksimalkan nilai produk dan mendorong kerja sama erat dengan pelanggan untuk menciptakan nilai dan pasar baru bersama-sama. Dengan penjualan tahunan hampir sebesar 800 miliar yen (AS$6,1 miliar), Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation berharap untuk berkontribusi dan membangun masa depan lebih cerah bagi semua orang di mana saja.

Ketahui lebih lanjut di https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

Tersedia Galeri Multimedia/Foto: https://www.businesswire.com/news/home/53525044/en

Pengumuman ini dianggap sah dan berwenang hanya dalam versi bahasa aslinya. Terjemahan-terjemahan disediakan hanya sebagai alat bantu, dan harus dengan penunjukan ke bahasa asli teksnya, yang adalah satu-satunya versi yang dimaksudkan untuk mempunyai kekuatan hukum.

Kontak

Pertanyaan Pelanggan:

Departemen Penjualan & Pemasaran Perangkat Listrik.

Tel: +81-44-548-2216

Hubungi Kami

Pertanyaan Media:

Chiaki Nagasawa

Departemen Pemasaran Digital.

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

Sumber: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation



Berita Populer


ASEANFLAG